Схема классификация полупроводниковых диодов

схема классификация полупроводниковых диодов
Все параметры аналоговых интегральных микросхем делятся на статические, динамические и эксплуатационные. К динамическим свойствам (характеристикам) относятся следующие параметры; 1 полоса единичного усиления. Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не боятся перегрева.


Лавинный пробой имеет место в переходах с высокоомной базой (имеющей большое удельное сопротивление). Тепловой пробой. Это делает весьма желательным постоянное углубление знаний в описываемой области и необходимым понимание основных физических явлений, а также использование соответствующих основных понятий. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения. Основными материалами для производства полупроводниковых приборов являются кремний (Si), карбид кремния (SiС), соединения галлия и индия. Солнечный элемент — диод, похожий на фотодиод, но работающий без смещения.

Наглядно увидеть, как работает двухполупериодная схема можно по рисунку. Подобные результаты имеет и диффузия электронов из слоя n в слой p. В итоге в приграничных областях слоя p и слоя n возникает так называемый обедненный слой, в котором мала концентрация подвижных носителей заряда (электронов и дырок). Обедненный слой имеет большое удельное сопротивление. Также, диод, в котором для стабилизации напряжения используют прямую ветвь ВАХ, называют стабистором.

Похожие записи: