Схема ключа на комплементарных транзисторах

схема ключа на комплементарных транзисторах
Это как в задаче о наполнении стакана: оптимист видит стакан, наполовину налитый, в то время, как пессимист считает его наполовину пустым. Одиночный п-канальный или р-канальный полевой транзистор, работающий в режиме обогащения, может служить аналоговым ключом, но его сопротивление в открытом состоянии будет значительно зависеть от величины коммутируемого сигнала. Хотя бы для процесса отладки, при работе на малых мощностях.


Это необходимо для устранения так называемых «сквозных токов», текущих через оба открытых ключа, минуя нагрузку. Резисторы R9 и R10 заметно греются, поэтому их лучше разместить в зоне обдува, либо использовать более мощные резисторы (5 – 10 Вт). Конденсаторы C8 и C9 должны быть рассчитаны на напряжение не менее 600-800 В. Конденсаторы C10 и C11 тоже должны быть высоковольтными (не менее 400 В) и пленочными. Рисунок 4. На рисунке каскад управляется обычным контактом, хотя вместо него может быть цифровая микросхема или микроконтроллер. Эмиттерные повторители часто строятся по двухтактной схеме с применением комплементарных пар транзисторов, что позволяет увеличить выходную мощность устройства.

Кухтецкий С.В., В статье подробно описана схема, конструкция и приведены советы по изготовлению лабораторного инвертора, предназначенного для индукционного нагрева и плавки. Еще одно отрицательное последствие низкоомных ключей – более высокий уровень инжекции заряда, вызванный увеличенным уровнем тока через емкость затвора. Таблица 3.6. Сравнение биполярных и МОП-транзисторов Отметим также, что высоковольтные МОП-тран-зисторы (например, с проб В) имеют как правило большее и более высокие значения температурных коэффициентов, чем низковольтные устройства. Сбрасываем высокое напряжение (выводим ЛАТР в 0), затем выключаем его. Однако этот ток увеличивается при увеличении частоты переключения.

Похожие записи: